NPE-4000PECVD等离子增强化学气相沉积系统：能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可达12“ 直径的基片上.采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体。

NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。